الخصائص الهيلكية والبصرية والكهربائية SnSe4 ذاكرة تحويل الطور
مقالة الشريط الجانبي
-
اختبار الحرارة العالية, الجسم الغير متبلور, الفجوة, الجسم المتبلور, اختبار الاشعة السينية
الملخص
في هذه الورقة تم استعراض طريقة تصميم ذاكرة التغير في الطور (PCM) باستخدام محتويات بنية بسيطة من (Gl,Al,SnSe4,Al) حيت تم اعداد كلا من الزجاج ومادة تغيير الطور SnSe4 بشكل مستقل واودعت باستخدام التبخر،حركية التبلورللمادة SnSe4 قد ثم التحقق منها باستخدام التسخين الحرارة العالية . المادة SnSe4 تظهر انه في الجهد المنخفض والتيار القليل يسبب انتقال من مرحلة الغير متبلور الي المرحلة المتبلورة حيث يظهر في اختبار IV , واضافة الى ذلك فآن حرارة التبلور للمادة المتحولة الطور هيا 350 درجة مئوية المكتسبة بسبب المرحلة الانتقالية ،والتي تم تاكيدها باستخدام اختبار نتائج الانعراج XR ، بالاضافة الى ذلك ، ثم حساب قيمة الفجوة باستخدام اختبار UV والنتائج اظهرت ان سبيكة SnSe4 شبه موصله ، حيث كانت قيمة الفجوة ev 1.65 . وتوضح قياسات DC ان معدة PCM يمكن ان تنتقل من غير المتبلورة الى بلورية عند 3.2 فولت مع مقاومة عالية 0.98 ميقا اوم ، وحيث المقاومة البلورية هو 13.9 كيلو اوم . اضافة الى ذلك ، تم التحقق من اختبار النبضة واضهرت النتائج انه عملية الانتقال تحدث عند 1.6 فولت وزمن 33 ميكرو ثانية.
النص الكامل
المراجع
[1]-B. Fulford. Unsung hero. Forbes, June 24 2002.
[2]-iSuppli Corporation. http://isuppli.com.
[3]-S. Lai. Non{volatile memory technologies: the quest forever lower cost. In IEDM 2008, pages 01{02, 2008.
[4]-G. E. Moore. Cramming more components onto integrated circuits. Electronics, 38(8):114{117, 1965.
[5]-International technical roadmap for semiconductors. www.itrs.net/Links/2008ITRS/Update/2008Update.pdf, 2008.
[6]-Science X network,’’Phase-change material with unexpected optical-reflectivity properties offers fresh perspectives for data storage, 2013. [Online] Available from:http://phys.org/news/2013-01-phase-change-material-uexpected-optical-reflectivity-properties.html#jCp.
[7]-S. Lai, B Current status of the phase change memory and its future,[ in Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting, 2003, pp. 10.1.1–10.1.4.
[8]-International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2009. [Online]. Available: http://public.itrs/net.
المؤلفون
هذا العمل مرخص بموجب Creative Commons Attribution 4.0 International License.
في بيان موجز، تتعلق الحقوق بنشر وتوزيع البحوث المنشورة في مجلة جامعة سبها حيث يجب على المؤلفين الذين نشروا مقالاتهم في مجلة جامعة سبها كيف يمكن استخدامها أو توزيع مقالاتهم. ويحتفظون بجميع حقوقهم في المصنفات المنشورة، مثل (على سبيل المثال لا الحصر) الحقوق التالية:
- حقوق الطبع والنشر وحقوق الملكية الأخرى المتعلقة بالمقال المقدم، مثل حقوق براءات الاختراع.
- بحث منشور في مجلة جامعة سبها ويستخدم في الأعمال المستقبلية الخاصة به، بما في ذلك المحاضرات والكتب، والحق في إعادة إنتاج المقالات لأغراضها الخاصة، والحق في الأرشفة الذاتية لمقالاتهم.
- الحق في الدخول في مقال منفصل، أو للتوزيع غير الحصري لمقالهم مع إقرار بنشره الأولي في مجلة جامعة سبها.
- بيان الخصوصية سيتم استخدام الأسماء وعناوين البريد الإلكتروني التي تم إدخالها في موقع مجلة جامعة سبها للأغراض المذكورة فقط والتي استخدمت من أجلها.